100G高速光电子集成芯片研制

时间:2013-11-07 浏览:1111
100G高速光电子集成芯片研制
 
    由南京大学(苏州)高新技术研究院承担的2013年苏州市应用基础研究计划——100G高速光电子集成芯片研制研究已获立项。
    该项目主要由南京大学陈向飞教授负责,项目总经费420万元。本项目致力于低成本、可大规模生产的高速单片集成光电子芯片及其模块的研究,关键技术:具有自主知识产权的REC技术及QWI技术。运用REC技术在多波长产生机制和单纵模良品率上可以达到电子束曝光技术的水平,且其制作精度要求会被放宽至少100倍以上,具有更好的波长控制能力。QWI技术是一种外延层生长后的后工艺处理技术,其本质是在外延层生长完毕后,通过特有的工艺方法在晶片的空间上精确地有选择性地调控材料的光学性质,将不同功能的光子器件集成在一个芯片上。REC和QWI技术的基本出发点都是致力于在保证器件性能的同时简化光子集成器件的制作工艺,降低器件的生产成本,而两者侧重点分别是芯片中的光源部分和光传导部分,形成了有效的互补。

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