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首页>>科研动态>>面向硅光集成的大功率半导体激光器阵列芯片研究
日期:2018/11/16 阅读次数:615
 
面向硅光集成的大功率半导体激光器阵列芯片研究
 
        由南京大学(苏州)高新技术研究院承担的2018年苏州市科技计划项目(前瞻性应用研究)——“向硅光集成的大功率半导体激光器阵列芯片研究”已获立项。 该项目主要由施跃春副研究员负责,项目总经费为10万元,项目成果的应用单位为苏州旭创科技有限公司。本项目研究内容包括:面向400Gb/s以及未来更高速率的数据中心光器件,研发针对硅光集成的高损耗要求,研发4信道半导体高功率激光器阵列,包括如何实现激光器芯片的单模高功率输出、多波长阵列发射、以及光热电的物理兼容,从而实现激光器阵列与硅光芯片的混合集成芯片与器件,并在苏州旭创科技公司的模块上进行系统验证。该项目希望在高端光模块领域掌握某些关键光电子集成芯片技术,积累相关知识产权,为我国下一代高速光电子器件的国产化做技术支持。
       本项目创新之处在于,基于自主提出的重构等效技术实现多波长的准确控制;半导体量子阱材料利用应变平衡等方法实现大饱和功率;利用等效的微米结构实现复杂纳米级光栅结构从而抑制空间烧孔效应以及减低制造成本;最后利用混合集成的方式实现高功率激光器阵列芯片与硅光芯片的混合集成,从而提高整个器件的性能。本项目有望实现高功率半导体激光器阵列芯片的国内自主化制造,实现适合我国落后平台下某些高端光电子芯片方面的新的制造技术,提升该领域的核心竞争力。
 
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