苏州创科微电子材料有限公司成立于2009年4月，位于南京大学（苏州）高技术研究院，是国内唯一一家从事高纯/超高纯高介电常数新材料前驱体的研发企业。 公司获得“苏州工业园区科技领军人才孵化项目”支持。

    2013年集成电路进入32纳米技术代，2016年将进入22纳米技术代。每个技术代对集成电路的关键材料都有特定的需求。45纳米技术代以下，主流金属-氧化物-半导体场效应晶体管器件的等效氧化物栅介质层厚度将小于1纳米。传统的多晶硅/SiO₂或SiON/Si结构，则由于显著的量子直接隧穿效应和多晶硅耗尽效应，器件性能急剧恶化。为此，引入新型的高介电常数（k）栅介质和金属栅材料成为集成电路可持续发展的必然选择。Intel已经在量产的45nm技术中，引入了高k材料/金属栅技术，其中高k栅介质采用的是原子层沉积技术制备的铪（Hf）基氧化物材料。目前，在高k材料及其制备技术领域，仅有几家美国公司在从事产品的开发和产业化。如美国的air product公司,我国拥有自主知识产权的材料与技术严重不足，这将极大妨碍我国集成电路跨越式发展战略目标的实现。因此，亟需开展极大规模集成电路用高k关键材料的研究和产业化。公司主要围绕含铪，含锆的多种高纯金属有机化合物的产业化。

    公司员工均有博士、硕士学位，有丰富的领导研发团队进行高科技项目的经验；具有多学科的知识背景，从有机化学、高分子化学、材料化学，到材料器件，团队的每个人都有独特的知识背景和经验；在高纯金属源材料的合成和应用方面总共拥有超过50年的丰富经验；我们团队的成员都是来自于不同的高校，有着彼此多年合作的经历，对国内外的研究领域有着敏锐的洞察力，成员之间拥有高度的默契和极强的团队协作精神。团队成员均主持承担了多项与国家863计划、国家自然科学基金面上项目和国际合作项目，并取得了积极的进展，形成了一支具有科学素养、锐意进取的研究  队伍。

    “以研究促发展，以发展促研究”是公司发展的灵魂，新颖，高纯是本公司产品最大的创新点，也是公司立足和发展的基石。本公司着眼于新型材料的研究，注重开发具有自主知识产权的新产品，公司最终将体现到我国极大规模集成电路技术的发展上，其所产生的社会影响将是长期的，也必将产生显著的市场应用价值。公司的发展将为实现我国材料技术和产业的跨越式发展，提供坚实的基础。